PD84006-E
Виробник: на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PD84006-E
Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V POWERSO10, Packaging: Tube, Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad, Current Rating (Amps): 5A, Frequency: 870MHz, Power - Output: 6W, Gain: 15dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: 10-PowerSO, Voltage - Rated: 25 V, Voltage - Test: 7.5 V, Current - Test: 150 mA.
Інші пропозиції PD84006-E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| PD84006-E | Виробник : STMicroelectronics |
RF MOSFET Transistors RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic |
на замовлення 399 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
 |
PD84006-E | Виробник : STMicroelectronics |
Trans RF MOSFET N-CH 25V 5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
товару немає в наявності |
|
.jpg "PD84006-E") |
PD84006-E | Виробник : STMicroelectronics |
Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V POWERSO10 Packaging: Tube Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Current Rating (Amps): 5A Frequency: 870MHz Power - Output: 6W Gain: 15dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: 10-PowerSO Voltage - Rated: 25 V Voltage - Test: 7.5 V Current - Test: 150 mA |
товару немає в наявності |