PD85006-E STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V POWERSO10
Packaging: Tube
Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Current Rating (Amps): 2A
Frequency: 870MHz
Power - Output: 6W
Gain: 17dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: 10-PowerSO
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 13.6 V
Current - Test: 200 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V POWERSO10
Packaging: Tube
Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Current Rating (Amps): 2A
Frequency: 870MHz
Power - Output: 6W
Gain: 17dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: 10-PowerSO
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 13.6 V
Current - Test: 200 mA
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PD85006-E STMicroelectronics
Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V POWERSO10, Packaging: Tube, Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad, Current Rating (Amps): 2A, Frequency: 870MHz, Power - Output: 6W, Gain: 17dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: 10-PowerSO, Voltage - Rated: 40 V, Voltage - Test: 13.6 V, Current - Test: 200 mA.
Інші пропозиції PD85006-E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| PD85006-E | Виробник : STMicroelectronics |
 RF MOSFET Transistors RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic |
товару немає в наявності |