Продукція > STMICROELECTRONICS > PD85006-E
PD85006-E

PD85006-E STMicroelectronics


Виробник: STMicroelectronics
Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V POWERSO10
Current - Test: 200 mA
Voltage - Test: 13.6 V
Voltage - Rated: 40 V
Supplier Device Package: 10-PowerSO
Technology: LDMOS
Gain: 17dB
Power - Output: 6W
Frequency: 870MHz
Current Rating (Amps): 2A
Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PD85006-E STMicroelectronics

Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V POWERSO10, Current - Test: 200 mA, Voltage - Test: 13.6 V, Voltage - Rated: 40 V, Supplier Device Package: 10-PowerSO, Technology: LDMOS, Gain: 17dB, Power - Output: 6W, Frequency: 870MHz, Current Rating (Amps): 2A, Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad, Packaging: Tube.

Інші пропозиції PD85006-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PD85006-E STMicroelectronics pd85006-e-955132.pdf RF MOSFET Transistors RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD85006-E pd85006-e-955132.pdf
Виробник: STMicroelectronics
RF MOSFET Transistors RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.