Продукція > STMICROELECTRONICS > PD85006-E
PD85006-E

PD85006-E STMicroelectronics

18cd00246669.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans RF FET N-CH 40V 2A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PD85006-E STMicroelectronics

Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V POWERSO10, Packaging: Tube, Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad, Current Rating (Amps): 2A, Frequency: 870MHz, Power - Output: 6W, Gain: 17dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: 10-PowerSO, Voltage - Rated: 40 V, Voltage - Test: 13.6 V, Current - Test: 200 mA.

Інші пропозиції PD85006-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PD85006-E PD85006-E Виробник : STMicroelectronics Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V POWERSO10
Packaging: Tube
Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Current Rating (Amps): 2A
Frequency: 870MHz
Power - Output: 6W
Gain: 17dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: 10-PowerSO
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 13.6 V
Current - Test: 200 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD85006-E Виробник : STMicroelectronics pd85006-e-955132.pdf RF MOSFET Transistors RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.