
PDMB50W6 KYOCERA AVX

Description: IGBT MODULE, 2IN1, 650V/50A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual, Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 181 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4500 pF @ 25 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 5793.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDMB50W6 KYOCERA AVX
Description: IGBT MODULE, 2IN1, 650V/50A, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Dual, Common Source, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 181 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції PDMB50W6 за ціною від 4569.55 грн до 5825.82 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PDMB50W6 | Виробник : KYOCERA AVX |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
PDMB50W6 | Виробник : KYOCERA AVX |
![]() Description: Module: IGBT; IGBT half-bridge; Urmax: 650V; Ic: 50A; screw; screw Max. off-state voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 100A Topology: IGBT half-bridge Type of semiconductor module: IGBT Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||
PDMB50W6 | Виробник : KYOCERA AVX |
![]() Description: Module: IGBT; IGBT half-bridge; Urmax: 650V; Ic: 50A; screw; screw Max. off-state voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 100A Topology: IGBT half-bridge Type of semiconductor module: IGBT Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw |
товару немає в наявності |