PDTA113EMB,315 Nexperia
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5301+ | 6.69 грн |
| 10000+ | 5.96 грн |
| 100000+ | 5.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTA113EMB,315 Nexperia
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN, Qualification: AEC-Q100, Grade: Automotive, Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Frequency - Transition: 180 MHz, Power - Max: 250 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: DFN1006B-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-XFDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції PDTA113EMB,315
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PDTA113EMB,315 | Nexperia USA Inc. |
 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFNQualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms Frequency - Transition: 180 MHz Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: DFN1006B-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
PDTA113EMB,315 | Nexperia |
Digital Transistors SOT883B 50V .1A PNP RET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. |
| PDTA113EMB,315 |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 180 MHz
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 180 MHz
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| PDTA113EMB,315 |
|
Виробник: Nexperia
Digital Transistors SOT883B 50V .1A PNP RET
Digital Transistors SOT883B 50V .1A PNP RET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику
од. на суму грн.