
PDTA114EK,115 NXP Semiconductors
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
7557+ | 4.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTA114EK,115 NXP Semiconductors
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: SMT3; MPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.
Інші пропозиції PDTA114EK,115 за ціною від 4.02 грн до 4.02 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PDTA114EK,115 | Виробник : Philips |
![]() |
на замовлення 141373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
PDTA114EK,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
PDTA114EK,115 | Виробник : NXP USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SMT3; MPAK Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
товару немає в наявності |