Продукція > NEXPERIA USA INC. > PDTA114EMB,315
PDTA114EMB,315

PDTA114EMB,315 Nexperia USA Inc.

PDTA114EMB.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTA114EMB,315 Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 180 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Qualification: AEC-Q100, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції PDTA114EMB,315 за ціною від 2.59 грн до 15.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PDTA114EMB,315 PDTA114EMB,315 Nexperia USA Inc. PDTA114EMB.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 14137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.39 грн
33+9.19 грн
100+5.71 грн
500+3.92 грн
1000+3.46 грн
2000+3.06 грн
5000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EMB,315 PDTA114EMB,315 Nexperia PDTA114EMB.pdf Digital Transistors SOT883B 50V .1A PNP RET
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EMB,315 PDTA114EMB.pdf
PDTA114EMB,315
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 14137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.39 грн
33+9.19 грн
100+5.71 грн
500+3.92 грн
1000+3.46 грн
2000+3.06 грн
5000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EMB,315 PDTA114EMB.pdf
PDTA114EMB,315
Виробник: Nexperia
Digital Transistors SOT883B 50V .1A PNP RET
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.