Продукція > NEXPERIA USA INC. > PDTA114EMB,315
PDTA114EMB,315

PDTA114EMB,315 Nexperia USA Inc.

PDTA114EMB.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTA114EMB,315 Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 180 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Qualification: AEC-Q100.

Інші пропозиції PDTA114EMB,315 за ціною від 2.07 грн до 19.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PDTA114EMB,315 PDTA114EMB,315 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTA114EMB.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 14950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+18.05 грн
23+ 12.1 грн
100+ 5.88 грн
500+ 4.6 грн
1000+ 3.2 грн
2000+ 2.77 грн
5000+ 2.53 грн
Мінімальне замовлення: 16
PDTA114EMB,315 PDTA114EMB,315 Виробник : Nexperia PDTA114EMB-2938396.pdf Digital Transistors PDTA114EMB/SOT883B/XQFN3
на замовлення 9973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+19.55 грн
23+ 13.44 грн
100+ 4.81 грн
1000+ 2.87 грн
2500+ 2.6 грн
10000+ 2.2 грн
20000+ 2.07 грн
Мінімальне замовлення: 16
PDTA114EMB,315 PDTA114EMB,315 Виробник : NEXPERIA pdta114emb.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R
товар відсутній
PDTA114EMB,315 PDTA114EMB,315 Виробник : Nexperia pdta114emb.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R
товар відсутній