Продукція > NEXPERIA USA INC. > PDTA114EMB,315
PDTA114EMB,315

PDTA114EMB,315 Nexperia USA Inc.

PDTA114EMB.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTA114EMB,315 Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 180 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q100, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції PDTA114EMB,315 за ціною від 3.57 грн до 23.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PDTA114EMB,315 PDTA114EMB,315 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTA114EMB.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 14237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19.31 грн
29+11.40 грн
50+8.12 грн
100+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EMB,315 PDTA114EMB,315 Виробник : Nexperia PDTA114EMB.pdf Digital Transistors PDTA114EMB/SOT883B/XQFN3
на замовлення 6007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+23.37 грн
25+14.46 грн
50+8.46 грн
100+7.92 грн
1000+7.38 грн
5000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EMB,315 PDTA114EMB,315 Виробник : NEXPERIA pdta114emb.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EMB,315 PDTA114EMB,315 Виробник : Nexperia pdta114emb.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.