PDTA114EQAZ

PDTA114EQAZ Nexperia USA Inc.


PDTA143_114_124_144EQA_SER.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS
Packaging: Bulk
на замовлення 135000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9489+2 грн
Мінімальне замовлення: 9489
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTA114EQAZ Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 280 mW, Frequency - Transition: 180 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PDTA114EQAZ за ціною від 2.69 грн до 2.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PDTA114EQAZ Виробник : NEXPERIA PDTA143_114_124_144EQA_SER.pdf Description: NEXPERIA - PDTA114EQAZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 15000
PDTA114EQAZ PDTA114EQAZ Виробник : NEXPERIA 35248169529887pdta143_114_124_144eqa_ser.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_t.pdfcidbr.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 440mW Automotive 3-Pin DFN-D EP
товар відсутній
PDTA114EQAZ PDTA114EQAZ Виробник : Nexperia USA Inc. PDTA143_114_124_144EQA_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 280 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
PDTA114EQAZ PDTA114EQAZ Виробник : Nexperia PDTA143_114_124_144EQA_SER-1544585.pdf Digital Transistors PDTA114EQA/SOT1215/DFN1010D-3
товар відсутній