PDTA114EQC-QZ Nexperia
на замовлення 24900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5068+ | 2.40 грн |
| 5137+ | 2.37 грн |
| 5209+ | 2.34 грн |
| 5301+ | 2.21 грн |
| 5377+ | 2.02 грн |
| 6000+ | 1.91 грн |
| 15000+ | 1.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTA114EQC-QZ Nexperia
Description: NEXPERIA - PDTA114EQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: DFN1412D, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PDTA114EQC-QZ за ціною від 1.80 грн до 18.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PDTA114EQC-QZ | Виробник : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PDTA114EQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: DFN1412D Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
PDTA114EQC-QZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 360 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PDTA114EQC-QZ | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PDTA114EQC-QZ | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 24900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PDTA114EQC-QZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTA114EQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: DFN1412D Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
PDTA114EQC-QZ | Виробник : Nexperia |
Digital Transistors PDTA114EQC-Q/SOT8009/DFN1412D- |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PDTA114EQC-QZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1412D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 360 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
PDTA114EQC-QZ | Виробник : NEXPERIA |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 450mW Automotive 3-Pin DFN-D T/R |
товару немає в наявності |