PDTA114EQCZ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 180 MHz
Power - Max: 360 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1412D-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 15.53 грн |
| 33+ | 9.12 грн |
| 100+ | 5.65 грн |
| 500+ | 3.88 грн |
| 1000+ | 3.42 грн |
| 2000+ | 3.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTA114EQCZ Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN, Resistors Included: R1 and R2, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Frequency - Transition: 180 MHz, Power - Max: 360 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: DFN1412D-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції PDTA114EQCZ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PDTA114EQCZ | Nexperia |
Digital Transistors SOT8009 50V .1A PNP RET |
на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PDTA114EQCZ |
|
Виробник: Nexperia
Digital Transistors SOT8009 50V .1A PNP RET
Digital Transistors SOT8009 50V .1A PNP RET
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)