
на замовлення 23860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
43+ | 8.13 грн |
62+ | 5.49 грн |
122+ | 2.42 грн |
1000+ | 1.76 грн |
2500+ | 1.54 грн |
10000+ | 1.32 грн |
20000+ | 1.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTA114ET,235 Nexperia
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції PDTA114ET,235 за ціною від 1.56 грн до 10.32 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PDTA114ET,235 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 9524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
PDTA114ET,235 | Виробник : NXP |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 154808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTA114ET,235 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTA114ET,235 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 103806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
PDTA114ET,235 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
PDTA114ET,235 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
PDTA114ET,235 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
товару немає в наявності |