
PDTA114ET,215 NEXPERIA
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 0.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTA114ET,215 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA114ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTA114E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PDTA114ET,215 за ціною від 0.60 грн до 12.27 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PDTA114ET,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 174000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PDTA114ET,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 12541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PDTA114ET,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 564000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PDTA114ET,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 564000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PDTA114ET,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 174000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PDTA114ET,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PDTA114ET,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 237000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PDTA114ET,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 360000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PDTA114ET,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PDTA114ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PDTA114ET,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 53900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PDTA114ET,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PDTA114ET,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PDTA114ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PDTA114ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 30 |
на замовлення 6656 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PDTA114ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 30 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6656 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
PDTA114ET.215 Код товару: 133123
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() Корпус: SOT-23 fT: 180 MHz Uке, В: 50 V Uкб, В: 50 V Iк, А: 0,1 A |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||||||
![]() |
PDTA114ET,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 18419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PDTA114ET,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 113771 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PDTA114ET,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
PDTA114ET,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 12541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
PDTA114ET,215 | Виробник : NXP |
![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
PDTA114ET,215 | Виробник : Philips |
![]() |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
PDTA114ET,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |