Продукція > NEXPERIA > PDTA114YQB-QZ
PDTA114YQB-QZ

PDTA114YQB-QZ NEXPERIA

3594606.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA114YQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+8.46 грн
500+5.74 грн
1000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTA114YQB-QZ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PDTA114YQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340mW, Bauform - Transistor: DFN1110D, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PDTA114YQB-QZ за ціною від 2.07 грн до 22.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PDTA114YQB-QZ PDTA114YQB-QZ Nexperia PDTA143X_TO_124XQB-Q_SER.pdf Digital Transistors PDTA114YQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
на замовлення 14935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+14.58 грн
38+8.49 грн
100+3.66 грн
1000+2.97 грн
10000+2.62 грн
25000+2.14 грн
50000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114YQB-QZ PDTA114YQB-QZ Nexperia USA Inc. PDTA143X_TO_124XQB-Q_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 180 MHz
Power - Max: 340 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1110D-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.31 грн
32+9.50 грн
100+5.92 грн
500+4.07 грн
1000+3.59 грн
2000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114YQB-QZ PDTA114YQB-QZ NEXPERIA 3594606.pdf Description: NEXPERIA - PDTA114YQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+22.47 грн
60+13.61 грн
100+8.46 грн
500+5.74 грн
1000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114YQB-QZ PDTA143X_TO_124XQB-Q_SER.pdf
PDTA114YQB-QZ
Виробник: Nexperia
Digital Transistors PDTA114YQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
на замовлення 14935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+14.58 грн
38+8.49 грн
100+3.66 грн
1000+2.97 грн
10000+2.62 грн
25000+2.14 грн
50000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114YQB-QZ PDTA143X_TO_124XQB-Q_SER.pdf
PDTA114YQB-QZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 180 MHz
Power - Max: 340 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1110D-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.31 грн
32+9.50 грн
100+5.92 грн
500+4.07 грн
1000+3.59 грн
2000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114YQB-QZ 3594606.pdf
PDTA114YQB-QZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA114YQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+22.47 грн
60+13.61 грн
100+8.46 грн
500+5.74 грн
1000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.