Продукція > NEXPERIA USA INC. > PDTA114YQBZ
PDTA114YQBZ

PDTA114YQBZ Nexperia USA Inc.

PDTA143X_TO_124XQB_SER.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTA114YQBZ Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: DFN1110D-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 340 mW, Frequency - Transition: 180 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

Інші пропозиції PDTA114YQBZ за ціною від 2.72 грн до 17.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PDTA114YQBZ PDTA114YQBZ Виробник : Nexperia USA Inc. PDTA143X_TO_124XQB_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+17.96 грн
24+ 11.83 грн
100+ 5.76 грн
500+ 4.51 грн
1000+ 3.14 грн
2000+ 2.72 грн
Мінімальне замовлення: 16
PDTA114YQBZ Виробник : NEXPERIA PHGLS24115-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NEXPERIA - PDTA114YQBZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 15000
PDTA114YQBZ PDTA114YQBZ Виробник : Nexperia PDTA143X_TO_124XQB_SER-2938196.pdf Digital Transistors PDTA114YQB/SOT8015/DFN1110D-3
товар відсутній