Продукція > Транзистори > Біполярні PNP > PDTA115ET,215

PDTA115ET,215

PDTA115E_SERIES.pdf
Код товару: 184573
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції PDTA115ET,215 за ціною від 1.45 грн до 15.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PDTA115ET,215 PDTA115ET,215 Nexperia 3019pdta115e_series.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14355+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 14355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA115ET,215 PDTA115ET,215 Nexperia 3019pdta115e_series.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14355+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 14355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA115ET,215 PDTA115ET,215 NEXPERIA 3154504.pdf Description: NEXPERIA - PDTA115ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA115E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.05 грн
1500+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA115ET,215 PDTA115ET,215 NEXPERIA PDTA115E_SERIES.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 100kΩ
Base-emitter resistor: 100kΩ
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
72+6.26 грн
88+4.74 грн
102+4.09 грн
146+2.85 грн
250+2.27 грн
500+1.68 грн
1000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA115ET,215 PDTA115ET,215 Nexperia USA Inc. PDTA115E_SERIES.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 4414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.54 грн
61+4.94 грн
100+3.06 грн
500+2.07 грн
1000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA115ET,215 PDTA115ET,215 Nexperia PDTA115E_SERIES.pdf Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 6640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+9.02 грн
61+5.24 грн
100+2.83 грн
500+2.07 грн
1000+1.79 грн
3000+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA115ET,215 PDTA115ET,215 NEXPERIA 3154504.pdf Description: NEXPERIA - PDTA115ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA115E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+15.54 грн
94+8.62 грн
139+5.81 грн
500+4.05 грн
1500+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA115ET,215 NXP PDTA115E_SERIES.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin TO-236AB PDTA115ET,215 PDTA115ET TPDTA115et
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA115ET,215 3019pdta115e_series.pdf
PDTA115ET,215
Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14355+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 14355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA115ET,215 3019pdta115e_series.pdf
PDTA115ET,215
Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14355+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 14355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA115ET,215 3154504.pdf
PDTA115ET,215
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA115ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA115E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+4.05 грн
1500+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA115ET,215 PDTA115E_SERIES.pdf
PDTA115ET,215
Виробник: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 100kΩ
Base-emitter resistor: 100kΩ
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
72+6.26 грн
88+4.74 грн
102+4.09 грн
146+2.85 грн
250+2.27 грн
500+1.68 грн
1000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA115ET,215 PDTA115E_SERIES.pdf
PDTA115ET,215
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 4414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+8.54 грн
61+4.94 грн
100+3.06 грн
500+2.07 грн
1000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA115ET,215 PDTA115E_SERIES.pdf
PDTA115ET,215
Виробник: Nexperia
Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 6640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+9.02 грн
61+5.24 грн
100+2.83 грн
500+2.07 грн
1000+1.79 грн
3000+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA115ET,215 3154504.pdf
PDTA115ET,215
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA115ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA115E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
52+15.54 грн
94+8.62 грн
139+5.81 грн
500+4.05 грн
1500+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA115ET,215 PDTA115E_SERIES.pdf
Виробник: NXP
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin TO-236AB PDTA115ET,215 PDTA115ET TPDTA115et
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.