PDTA123EM,315 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 129976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10490+ | 2.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTA123EM,315 NXP USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-883, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms, Qualification: AEC-Q100.
Інші пропозиції PDTA123EM,315 за ціною від 2.7 грн до 2.7 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PDTA123EM,315 | Виробник : NXP |
Description: NXP - PDTA123EM,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 129976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
PDTA123EM,315 | Виробник : NEXPERIA |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R |
товар відсутній |
|||||
|
|
PDTA123EM,315 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: SOT-883 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q100 |
товар відсутній |
|||||
|
|
PDTA123EM,315 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: SOT-883 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q100 |
товар відсутній |
|||||
 |
PDTA123EM,315 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - Pre-Biased PDTA123EM/SOT883/XQFN3 |
товар відсутній |