PDTA123EMB,315 Nexperia USA Inc.
на замовлення 79970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11225+ | 2.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTA123EMB,315 Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 180 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms, Qualification: AEC-Q100, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції PDTA123EMB,315 за ціною від 2.22 грн до 2.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PDTA123EMB,315 | Виробник : NXP USA Inc. |
 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFNPackaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 139871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| PDTA123EMB,315 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-B T/R |
на замовлення 39871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| PDTA123EMB,315 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-B T/R |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| PDTA123EMB,315 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTA123EMB,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 139871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| PDTA123EMB,315 | Виробник : NXP |
Description: NXP - PDTA123EMB,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 139871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
PDTA123EMB,315 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 |
товару немає в наявності |
|||||
 |
PDTA123EMB,315 | Виробник : Nexperia |
Digital Transistors PDTA123EMB/SOT883B/XQFN3 |
товару немає в наявності |