Продукція > NEXPERIA > PDTA123ET,215
PDTA123ET,215

PDTA123ET,215 Nexperia

2970pdta123e_series.pdf
Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 29764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14355+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 14355
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTA123ET,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTA123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTA123E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PDTA123ET,215 за ціною від 1.75 грн до 18.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PDTA123ET,215 PDTA123ET,215 Виробник : Nexperia 2970pdta123e_series.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1563000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14355+2.25 грн
100000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 14355
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ET,215 PDTA123ET,215 Виробник : Nexperia 2970pdta123e_series.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 16530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14355+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 14355
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ET,215 PDTA123ET,215 Виробник : NEXPERIA PDTA123ET.215.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Frequency: 180MHz
Kind of package: 7 inch reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
72+6.34 грн
100+4.21 грн
114+3.70 грн
178+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ET,215 PDTA123ET,215 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002881414-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTA123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
49+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ET,215 PDTA123ET,215 Виробник : Nexperia PDTA123E_SERIES.pdf Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.26 грн
43+7.63 грн
100+3.56 грн
500+2.59 грн
1000+2.31 грн
3000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ET,215 PDTA123ET,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTA123E_SERIES.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ET,215 PDTA123ET,215 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002881414-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTA123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA123E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ET,215 Виробник : NXP PDTA123E_SERIES.pdf SOT23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ET,215 PDTA123ET,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTA123E_SERIES.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ET,215 PDTA123ET,215 Виробник : NXP USA Inc. PDTA123E_SERIES.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123ET.215 Виробник : NXP PDTA123ET.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 180MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.