PDTA123ETVL

PDTA123ETVL NEXPERIA


PDTA123E_SERIES.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA123ETVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 8320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+1.95 грн
1000+ 1.03 грн
5000+ 1.01 грн
Мінімальне замовлення: 500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTA123ETVL NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PDTA123ETVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTA123E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

Інші пропозиції PDTA123ETVL за ціною від 0.8 грн до 11.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PDTA123ETVL PDTA123ETVL Виробник : NEXPERIA PDTA123E_SERIES.pdf Description: NEXPERIA - PDTA123ETVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 8320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
91+8.31 грн
132+ 5.69 грн
244+ 3.07 грн
500+ 1.95 грн
1000+ 1.03 грн
5000+ 1.01 грн
Мінімальне замовлення: 91
PDTA123ETVL PDTA123ETVL Виробник : Nexperia PDTA123E_SERIES-1318732.pdf Digital Transistors PDTA123ET/SOT23/TO-236AB
на замовлення 16969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+9.42 грн
49+ 6.37 грн
100+ 3.07 грн
1000+ 1.54 грн
2500+ 1.34 грн
10000+ 1.27 грн
20000+ 0.8 грн
Мінімальне замовлення: 34
PDTA123ETVL PDTA123ETVL Виробник : Nexperia USA Inc. PDTA123E_SERIES.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 9940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+11.55 грн
38+ 7.51 грн
100+ 4.07 грн
500+ 3 грн
1000+ 2.08 грн
2000+ 1.72 грн
5000+ 1.6 грн
Мінімальне замовлення: 25
PDTA123ETVL PDTA123ETVL Виробник : NEXPERIA 182641759976792pdta123e_series.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_thir.pdfcidbrand_nxpd.pdf PNP Resistor-Equipped Transistors
товар відсутній
PDTA123ETVL PDTA123ETVL Виробник : Nexperia 182641759976792pdta123e_series.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_thir.pdfcidbrand_nxpd.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
PDTA123ETVL PDTA123ETVL Виробник : Nexperia USA Inc. PDTA123E_SERIES.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній