PDTA123EU,115 NXP Semiconductors
на замовлення 275457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16130+ | 1.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTA123EU,115 NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA - PDTA123EU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTA123E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PDTA123EU,115 за ціною від 1.74 грн до 14.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PDTA123EU,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
 Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PDTA123EU,115 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PDTA123EU,115 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 93871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PDTA123EU,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTA123EU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA123E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PDTA123EU,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTA123EU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA123E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PDTA123EU,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 2974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PDTA123EU,115 | Виробник : Nexperia |
Digital Transistors PDTA123EU/SOT323/SC-70 |
на замовлення 10238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PDTA123EU,115 | Виробник : NEXPERIA |
PDTA123EU.115 PNP SMD transistors |
на замовлення 3787 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
PDTA123EU,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PDTA123EU,115 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PDTA123EU,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 |
товару немає в наявності |