PDTA123JM,315 Nexperia
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Технічний опис PDTA123JM,315 Nexperia
Description: NEXPERIA - PDTA123JM,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, Verlustleistung: 250mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1006, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTA123J Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.
Інші пропозиції PDTA123JM,315 за ціною від 5.36 грн до 34.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
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PDTA123JM,315 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTA123JM,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1006 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA123J Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V |
на замовлення 5880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PDTA123JM,315 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTA123JM,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1006 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA123J Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V |
на замовлення 5880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| PDTA123JM,315 |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA123JM,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1006
Dauerkollektorstrom: 100mA
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Produktpalette: PDTA123J Series
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Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
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Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 11.76 грн |
| 500+ | 7.93 грн |
| 1000+ | 6.18 грн |
| 5000+ | 5.36 грн |
| PDTA123JM,315 |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA123JM,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
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Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Description: NEXPERIA - PDTA123JM,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Produktpalette: PDTA123J Series
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на замовлення 5880 шт:
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| Кількість | Ціна без ПДВ |
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| 24+ | 34.55 грн |
| 46+ | 17.64 грн |
| 100+ | 11.76 грн |
| 500+ | 7.93 грн |
| 1000+ | 6.18 грн |
| 5000+ | 5.36 грн |




