PDTA123JQA147

PDTA123JQA147 NXP USA Inc.


PDTA143X_123J_134Z_114YQA_SER.pdf Виробник: NXP USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 280 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 125000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9489+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 9489
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTA123JQA147 NXP USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS, Packaging: Bulk, Part Status: Active, Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 280 mW, Frequency - Transition: 180 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PDTA123JQA147 за ціною від 3.06 грн до 3.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PDTA123JQA147 Виробник : NXP PDTA143X_123J_134Z_114YQA_SER.pdf Description: NXP - PDTA123JQA147 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12077+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 12077