Продукція > NEXPERIA USA INC. > PDTA123JQB-QZ
PDTA123JQB-QZ

PDTA123JQB-QZ Nexperia USA Inc.

PDTA143X_TO_124XQB-Q_SER.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 180 MHz
Power - Max: 340 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1110D-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+3.36 грн
10000+2.91 грн
15000+2.75 грн
25000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTA123JQB-QZ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PDTA123JQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: Y, MSL: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, Verlustleistung: 340mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1110D, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

Інші пропозиції PDTA123JQB-QZ за ціною від 1.00 грн до 18.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PDTA123JQB-QZ PDTA123JQB-QZ Nexperia pdta143x_to_124xqb-q_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 420mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3779+3.74 грн
3817+3.71 грн
5264+2.69 грн
7043+1.94 грн
8288+1.52 грн
9434+1.29 грн
15000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 3779 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQB-QZ PDTA123JQB-QZ Nexperia pdta143x_to_124xqb-q_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 420mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+10.41 грн
122+6.22 грн
123+6.17 грн
124+5.88 грн
202+3.34 грн
250+3.18 грн
500+2.30 грн
1000+1.72 грн
3000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQB-QZ PDTA123JQB-QZ Nexperia USA Inc. PDTA143X_TO_124XQB-Q_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 180 MHz
Power - Max: 340 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1110D-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.24 грн
29+10.54 грн
100+6.55 грн
500+4.50 грн
1000+3.97 грн
2000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQB-QZ PDTA123JQB-QZ Nexperia PDTA143X_TO_124XQB-Q_SER.pdf Digital Transistors PDTA123JQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQB-QZ PDTA123JQB-QZ NEXPERIA 3594606.pdf Description: NEXPERIA - PDTA123JQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 340mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQB-QZ PDTA123JQB-QZ NEXPERIA 3594606.pdf Description: NEXPERIA - PDTA123JQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 340mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQB-QZ pdta143x_to_124xqb-q_ser.pdf
PDTA123JQB-QZ
Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 420mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3779+3.74 грн
3817+3.71 грн
5264+2.69 грн
7043+1.94 грн
8288+1.52 грн
9434+1.29 грн
15000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 3779 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQB-QZ pdta143x_to_124xqb-q_ser.pdf
PDTA123JQB-QZ
Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 420mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
73+10.41 грн
122+6.22 грн
123+6.17 грн
124+5.88 грн
202+3.34 грн
250+3.18 грн
500+2.30 грн
1000+1.72 грн
3000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQB-QZ PDTA143X_TO_124XQB-Q_SER.pdf
PDTA123JQB-QZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 180 MHz
Power - Max: 340 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1110D-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+18.24 грн
29+10.54 грн
100+6.55 грн
500+4.50 грн
1000+3.97 грн
2000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQB-QZ PDTA143X_TO_124XQB-Q_SER.pdf
PDTA123JQB-QZ
Виробник: Nexperia
Digital Transistors PDTA123JQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQB-QZ 3594606.pdf
PDTA123JQB-QZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA123JQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 340mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQB-QZ 3594606.pdf
PDTA123JQB-QZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA123JQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 340mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.