Продукція > NEXPERIA USA INC. > PDTA123JQC-QZ
PDTA123JQC-QZ

PDTA123JQC-QZ Nexperia USA Inc.

PDTA143X_TO_124XQC-Q_SER.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 180 MHz
Power - Max: 360 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1412D-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTA123JQC-QZ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PDTA123JQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: Y, MSL: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1412D, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

Інші пропозиції PDTA123JQC-QZ за ціною від 0.86 грн до 18.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PDTA123JQC-QZ PDTA123JQC-QZ Nexperia pdta143x_to_124xqc-q_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 450mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 24800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4250+3.33 грн
4298+3.29 грн
6049+2.34 грн
8334+1.64 грн
11112+1.14 грн
13044+0.93 грн
15000+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 4250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQC-QZ PDTA123JQC-QZ Nexperia pdta143x_to_124xqc-q_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 450mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 24800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+8.89 грн
137+5.52 грн
139+5.46 грн
140+5.21 грн
227+2.97 грн
250+2.82 грн
500+2.00 грн
1000+1.45 грн
3000+1.09 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQC-QZ PDTA123JQC-QZ Nexperia USA Inc. PDTA143X_TO_124XQC-Q_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 360 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1412D-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 180 MHz
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.24 грн
30+10.46 грн
100+6.50 грн
500+4.47 грн
1000+3.94 грн
2000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQC-QZ PDTA123JQC-QZ Nexperia PDTA143X_TO_124XQC-Q_SER.pdf Digital Transistors PDTA123JQC-Q/SOT8009/DFN1412D-
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQC-QZ PDTA123JQC-QZ NEXPERIA 3594607.pdf Description: NEXPERIA - PDTA123JQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQC-QZ PDTA123JQC-QZ NEXPERIA 3594607.pdf Description: NEXPERIA - PDTA123JQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQC-QZ pdta143x_to_124xqc-q_ser.pdf
PDTA123JQC-QZ
Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 450mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 24800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4250+3.33 грн
4298+3.29 грн
6049+2.34 грн
8334+1.64 грн
11112+1.14 грн
13044+0.93 грн
15000+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 4250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQC-QZ pdta143x_to_124xqc-q_ser.pdf
PDTA123JQC-QZ
Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 450mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 24800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
85+8.89 грн
137+5.52 грн
139+5.46 грн
140+5.21 грн
227+2.97 грн
250+2.82 грн
500+2.00 грн
1000+1.45 грн
3000+1.09 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQC-QZ PDTA143X_TO_124XQC-Q_SER.pdf
PDTA123JQC-QZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 360 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1412D-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 180 MHz
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+18.24 грн
30+10.46 грн
100+6.50 грн
500+4.47 грн
1000+3.94 грн
2000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQC-QZ PDTA143X_TO_124XQC-Q_SER.pdf
PDTA123JQC-QZ
Виробник: Nexperia
Digital Transistors PDTA123JQC-Q/SOT8009/DFN1412D-
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQC-QZ 3594607.pdf
PDTA123JQC-QZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA123JQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JQC-QZ 3594607.pdf
PDTA123JQC-QZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA123JQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.