| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13762+ | 1.03 грн |
| 13889+ | 1.02 грн |
| 14151+ | 1.00 грн |
| 14286+ | 0.96 грн |
| 14424+ | 0.88 грн |
| 14564+ | 0.83 грн |
| 30000+ | 0.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTA123JQCZ Nexperia
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: DFN1412D-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 360 mW, Frequency - Transition: 180 MHz, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції PDTA123JQCZ за ціною від 0.84 грн до 15.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PDTA123JQCZ | Nexperia |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 450mW 3-Pin DFN-D T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PDTA123JQCZ | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 360 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PDTA123JQCZ | Nexperia |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 450mW 3-Pin DFN-D T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PDTA123JQCZ | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 360 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PDTA123JQCZ | Nexperia |
Digital Transistors PDTA123JQC/SOT8009/DFN1412D-3 |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PDTA123JQCZ |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 450mW 3-Pin DFN-D T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 450mW 3-Pin DFN-D T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14085+ | 2.51 грн |
| PDTA123JQCZ |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 360 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 360 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 2.82 грн |
| PDTA123JQCZ |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 450mW 3-Pin DFN-D T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 450mW 3-Pin DFN-D T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 217+ | 3.49 грн |
| 403+ | 1.88 грн |
| 407+ | 1.86 грн |
| 411+ | 1.78 грн |
| 734+ | 0.92 грн |
| 741+ | 0.87 грн |
| 755+ | 0.86 грн |
| 1000+ | 0.85 грн |
| 3000+ | 0.84 грн |
| PDTA123JQCZ |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 360 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 360 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 15.53 грн |
| 34+ | 8.90 грн |
| 100+ | 5.52 грн |
| 500+ | 3.79 грн |
| 1000+ | 3.34 грн |
| 2000+ | 2.96 грн |
| PDTA123JQCZ |
![]() |
Виробник: Nexperia
Digital Transistors PDTA123JQC/SOT8009/DFN1412D-3
Digital Transistors PDTA123JQC/SOT8009/DFN1412D-3
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





