Продукція > NEXPERIA > PDTA123JU,115
PDTA123JU,115

PDTA123JU,115 NEXPERIA

PDTA123J_SER.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA123JU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA123J Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+4.40 грн
1000+3.51 грн
5000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTA123JU,115 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PDTA123JU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTA123J Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PDTA123JU,115 за ціною від 1.47 грн до 19.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PDTA123JU,115 PDTA123JU,115 NEXPERIA PDTA123J_SER.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 100
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 180MHz
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
на замовлення 916 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
56+8.15 грн
95+4.45 грн
153+2.76 грн
187+2.25 грн
250+1.70 грн
500+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JU,115 PDTA123JU,115 Nexperia USA Inc. PDTA123J_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10µA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.21 грн
52+5.82 грн
100+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JU,115 PDTA123JU,115 Nexperia PDTA123J_SER.pdf Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+13.28 грн
48+6.75 грн
100+3.98 грн
500+2.72 грн
1000+2.37 грн
3000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JU,115 PDTA123JU,115 NEXPERIA PDTA123J_SER.pdf Description: NEXPERIA - PDTA123JU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA123J Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+19.88 грн
80+10.26 грн
118+6.93 грн
500+4.40 грн
1000+3.51 грн
5000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JU,115 PDTA123J_SER.pdf
PDTA123JU,115
Виробник: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 100
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 180MHz
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
на замовлення 916 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
56+8.15 грн
95+4.45 грн
153+2.76 грн
187+2.25 грн
250+1.70 грн
500+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JU,115 PDTA123J_SER.pdf
PDTA123JU,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10µA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
31+10.21 грн
52+5.82 грн
100+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JU,115 PDTA123J_SER.pdf
PDTA123JU,115
Виробник: Nexperia
Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
25+13.28 грн
48+6.75 грн
100+3.98 грн
500+2.72 грн
1000+2.37 грн
3000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123JU,115 PDTA123J_SER.pdf
PDTA123JU,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA123JU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA123J Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
41+19.88 грн
80+10.26 грн
118+6.93 грн
500+4.40 грн
1000+3.51 грн
5000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.