
PDTA123JU,115 Nexperia
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
33000+ | 1.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTA123JU,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PDTA123JU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTA123J Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PDTA123JU,115 за ціною від 1.20 грн до 12.11 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PDTA123JU,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PDTA123JU,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PDTA123JU,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 102871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PDTA123JU,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PDTA123JU,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PDTA123JU,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PDTA123JU,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA123J Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 17395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PDTA123JU,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 180MHz Current gain: 100 Kind of transistor: BRT Base resistor: 2.2kΩ |
на замовлення 1694 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PDTA123JU,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA123J Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 17395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PDTA123JU,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10µA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 4638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PDTA123JU,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 180MHz Current gain: 100 Kind of transistor: BRT Base resistor: 2.2kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1694 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PDTA123JU,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 8862 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PDTA123JU,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
PDTA123JU,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
PDTA123JU,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10µA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 |
товару немає в наявності |