Продукція > NEXPERIA > PDTA123TM,315
PDTA123TM,315

PDTA123TM,315 Nexperia


3104pdta123t_ser.pdf Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 19950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14493+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 14493
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTA123TM,315 Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTA123TM,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: DFN1006, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTA123T Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PDTA123TM,315 за ціною від 1.68 грн до 24.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PDTA123TM,315 PDTA123TM,315 Виробник : Nexperia 3104pdta123t_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14493+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 14493
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123TM,315 PDTA123TM,315 Виробник : Nexperia 3104pdta123t_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14493+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 14493
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123TM,315 PDTA123TM,315 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTA123T_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 89950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11871+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 11871
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123TM,315 PDTA123TM,315 Виробник : NEXPERIA PHGLS19610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTA123TM,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA123T Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.08 грн
1000+1.75 грн
5000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123TM,315 PDTA123TM,315 Виробник : NEXPERIA PHGLS19610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTA123TM,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA123T Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
63+13.61 грн
90+9.53 грн
154+5.53 грн
500+3.55 грн
1000+1.75 грн
5000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123TM,315 PDTA123TM,315 Виробник : Nexperia PDTA123T_SER-2938355.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased PDTA123TM/SOT883/XQFN3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+24.68 грн
22+16.22 грн
100+8.95 грн
1000+4.09 грн
10000+2.58 грн
20000+2.50 грн
50000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123TM,315 Виробник : NEXPERIA PDTA123T_SER.pdf Description: NEXPERIA - PDTA123TM,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123TM,315 PDTA123TM,315 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTA123T_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.