PDTA123TMB,315 Nexperia
на замовлення 9587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 20.25 грн |
23+ | 13.44 грн |
100+ | 7.41 грн |
1000+ | 3.34 грн |
2500+ | 2.87 грн |
10000+ | 2.2 грн |
20000+ | 2.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTA123TMB,315 Nexperia
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 180 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Qualification: AEC-Q100.
Інші пропозиції PDTA123TMB,315 за ціною від 2.55 грн до 2.55 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PDTA123TMB,315 | Виробник : NXP |
Description: NXP - PDTA123TMB,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
PDTA123TMB,315 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTA123TMB,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
PDTA123TMB,315 | Виробник : NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R |
товар відсутній |
||||||
PDTA123TMB,315 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q100 |
товар відсутній |