PDTA123YMB,315 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 20.75 грн |
| 27+ | 12.15 грн |
| 50+ | 8.66 грн |
| 100+ | 7.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTA123YMB,315 Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 180 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Qualification: AEC-Q100, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції PDTA123YMB,315 за ціною від 2.26 грн до 23.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PDTA123YMB,315 | Виробник : Nexperia |
Digital Transistors PDTA123YMB/SOT883B/XQFN3 |
на замовлення 9158 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PDTA123YMB,315 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R |
на замовлення 97600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
PDTA123YMB,315 | Виробник : NEXPERIA |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
PDTA123YMB,315 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
PDTA123YMB,315 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 |
товару немає в наявності |

