Продукція > NEXPERIA USA INC. > PDTA123YMB,315
PDTA123YMB,315

PDTA123YMB,315 Nexperia USA Inc.

PDTA123YMB.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.27 грн
30+10.13 грн
100+6.33 грн
500+4.35 грн
1000+3.83 грн
2000+3.40 грн
5000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTA123YMB,315 Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 180 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q100, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції PDTA123YMB,315 за ціною від 2.22 грн до 18.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PDTA123YMB,315 PDTA123YMB,315 Виробник : Nexperia PDTA123YMB.pdf Digital Transistors 50 V, 100 mA PNP resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kΩ, R2: 10 kΩ
на замовлення 9158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.54 грн
30+11.18 грн
100+6.10 грн
500+4.50 грн
1000+3.48 грн
2500+3.19 грн
5000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123YMB,315 Виробник : NXP Semiconductors PDTA123YMB.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 97600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13762+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 13762
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123YMB,315 PDTA123YMB,315 Виробник : NEXPERIA 14477585874560pdta123ymb.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_par.pdfcidbrand_nxpd.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123YMB,315 PDTA123YMB,315 Виробник : Nexperia 3115pdta123ymb.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA123YMB,315 PDTA123YMB,315 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTA123YMB.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.