Продукція > NEXPERIA USA INC. > PDTA124XQBZ

PDTA124XQBZ Nexperia USA Inc.

Name: PDTA124XQBZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 13161835-3
Price: 14350.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5000+	2.87 грн

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис PDTA124XQBZ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PDTA124XQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, isCanonical: N, MSL: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, Verlustleistung: 340mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1110D, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

Інші пропозиції PDTA124XQBZ за ціною від 2.55 грн до 18.85 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

PDTA124XQBZ

Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	15.53 грн

Мінімальне замовлення: 20 шт

В кошику од. на суму грн.

PDTA124XQBZ

Nexperia

Digital Transistors 50 V, 100 mA PNP resistor-equipped transistors

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

19+	16.83 грн
100+	11.80 грн
500+	7.32 грн
1000+	5.38 грн
2500+	4.63 грн
5000+	2.55 грн

Мінімальне замовлення: 19 шт

В кошику од. на суму грн.

PDTA124XQBZ

NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PDTA124XQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 340mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V

на замовлення 2505 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	17.48 грн
500+	11.59 грн
1000+	8.77 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

PDTA124XQBZ

NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PDTA124XQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 340mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V

на замовлення 2505 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	18.85 грн
45+	18.20 грн
100+	17.48 грн
500+	11.59 грн
1000+	8.77 грн

Мінімальне замовлення: 43 шт

В кошику од. на суму грн.

PDTA124XQBZ

Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
20+	15.53 грн

Мінімальне замовлення: 20 шт

В кошику од. на суму грн.

PDTA124XQBZ

Виробник: Nexperia
Digital Transistors 50 V, 100 mA PNP resistor-equipped transistors

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
19+	16.83 грн
100+	11.80 грн
500+	7.32 грн
1000+	5.38 грн
2500+	4.63 грн
5000+	2.55 грн

Мінімальне замовлення: 19 шт

В кошику од. на суму грн.

PDTA124XQBZ

Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA124XQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 340mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V

на замовлення 2505 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	17.48 грн
500+	11.59 грн
1000+	8.77 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

PDTA124XQBZ

Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA124XQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 340mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V

на замовлення 2505 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
43+	18.85 грн
45+	18.20 грн
100+	17.48 грн
500+	11.59 грн
1000+	8.77 грн

Мінімальне замовлення: 43 шт

В кошику од. на суму грн.