Продукція > NXP USA INC. > PDTA143EMB,315
PDTA143EMB,315

PDTA143EMB,315 NXP USA Inc.


PHGLS24661-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: NXP USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 185678 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11181+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 11181
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTA143EMB,315 NXP USA Inc.

Description: NEXPERIA - PDTA143EMB,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: DFN1006B, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

Інші пропозиції PDTA143EMB,315 за ціною від 1.91 грн до 14.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PDTA143EMB,315 PDTA143EMB,315 Виробник : NEXPERIA 183092360962290pdta143emb.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PDTA143EMB,315 PDTA143EMB,315 Виробник : Nexperia 183092360962290pdta143emb.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+2.28 грн
20000+ 2.15 грн
30000+ 2.12 грн
50000+ 1.95 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PDTA143EMB,315 PDTA143EMB,315 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTA143EMB,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: DFN1006B
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 9993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+3.18 грн
1000+ 1.98 грн
5000+ 1.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
PDTA143EMB,315 PDTA143EMB,315 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTA143EMB,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: DFN1006B
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 9993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
51+14.73 грн
91+ 8.26 грн
162+ 4.61 грн
500+ 3.18 грн
1000+ 1.98 грн
5000+ 1.91 грн
Мінімальне замовлення: 51
PDTA143EMB,315
Код товару: 175792
PDTA143EMB.pdf PHGLS24661-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
PDTA143EMB,315 PDTA143EMB,315 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTA143EMB.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
PDTA143EMB,315 PDTA143EMB,315 Виробник : Nexperia PDTA143EMB-2938301.pdf Digital Transistors PDTA143EMB/SOT883B/XQFN3
товар відсутній