Продукція > Транзистори > Біполярні PNP > PDTA143EMB,315

PDTA143EMB,315

PDTA143EMB.pdf PHGLS24661-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Код товару: 175792
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції PDTA143EMB,315 за ціною від 2.13 грн до 6.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PDTA143EMB,315 PDTA143EMB,315 Nexperia USA Inc. PHGLS24661-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 185678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9217+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 9217 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143EMB,315 PDTA143EMB,315 Nexperia pdta143emb.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5301+6.72 грн
10000+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 5301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143EMB,315 PDTA143EMB,315 NEXPERIA PDTA143EMB.pdf PHGLS24661-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NEXPERIA - PDTA143EMB,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1006B
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143EMB,315 PDTA143EMB,315 NEXPERIA PDTA143EMB.pdf PHGLS24661-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NEXPERIA - PDTA143EMB,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1006B
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143EMB,315 NXP Semiconductors PDTA143EMB.pdf PHGLS24661-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 104700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12932+2.75 грн
100000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 12932 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143EMB,315 NXP Semiconductors PDTA143EMB.pdf PHGLS24661-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 80978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12932+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 12932 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143EMB,315 PHGLS24661-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
PDTA143EMB,315
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 185678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9217+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 9217 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143EMB,315 pdta143emb.pdf
PDTA143EMB,315
Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5301+6.72 грн
10000+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 5301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143EMB,315 PDTA143EMB.pdf PHGLS24661-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
PDTA143EMB,315
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA143EMB,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1006B
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143EMB,315 PDTA143EMB.pdf PHGLS24661-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
PDTA143EMB,315
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA143EMB,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1006B
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143EMB,315 PDTA143EMB.pdf PHGLS24661-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: NXP Semiconductors
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 104700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12932+2.75 грн
100000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 12932 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143EMB,315 PDTA143EMB.pdf PHGLS24661-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: NXP Semiconductors
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 80978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12932+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 12932 шт
В кошику  од. на суму  грн.