PDTA143ET,215 NEXPERIA
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
69000+ | 0.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTA143ET,215 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA143ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTA143E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PDTA143ET,215 за ціною від 0.77 грн до 12.65 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PDTA143ET,215 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTA143ET,215 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTA143ET,215 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4067 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTA143ET,215 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 372000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTA143ET,215 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTA143ET,215 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTA143ET,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTA143ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTA143ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA143E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTA143ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTA143ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA143E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTA143ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ Frequency: 180MHz Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP |
на замовлення 1435 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTA143ET,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms |
на замовлення 8767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTA143ET,215 Код товару: 151550 |
Транзистори > Біполярні PNP |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
PDTA143ET,215 | Виробник : Nexperia | Digital Transistors PDTA143ET/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 9947 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTA143ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ Frequency: 180MHz Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1435 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTA143ET,215 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4067 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PDTA143ET,215 | Виробник : NXP/Nexperia/We-En | Транзистор PNP; Uceo, В = 50; Ic = 100 мА; hFE = 30 @ 10 мА, 5 В; Icutoff-max = 1 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 150 мВ @ 500 мкA, 10 мА; Р, Вт = 0,25 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = smd; R(база) = R(эмиттер-база) = 4.7 кОм; SOT-23-3 |
на замовлення 4976 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTA143ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTA143ET,215 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3423000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|