PDTA143ZQB-QZ Nexperia USA Inc.


PDTA143X_TO_124XQB-Q_SER.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTA143ZQB-QZ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PDTA143ZQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, isCanonical: N, MSL: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, Verlustleistung: 340mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1110D, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

Інші пропозиції PDTA143ZQB-QZ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність _PRICE_WITHOUT_VAT
PDTA143ZQB-QZ PDTA143ZQB-QZ Nexperia pdta143x_to_124xqb-q_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 420mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5129+6.91 грн
10000+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 5129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143ZQB-QZ PDTA143ZQB-QZ NEXPERIA 3594606.pdf Description: NEXPERIA - PDTA143ZQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 340mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.08 грн
108+7.52 грн
500+5.12 грн
1000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143ZQB-QZ PDTA143ZQB-QZ Nexperia USA Inc. PDTA143X_TO_124XQB-Q_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.53 грн
33+9.12 грн
100+5.68 грн
500+3.91 грн
1000+3.44 грн
2000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143ZQB-QZ PDTA143ZQB-QZ Nexperia PDTA143X_TO_124XQB-Q_SER.pdf Digital Transistors SOT8015 50V .1A PNP RET
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.59 грн
32+9.92 грн
100+5.32 грн
500+3.73 грн
1000+2.90 грн
2500+2.76 грн
5000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143ZQB-QZ PDTA143ZQB-QZ NEXPERIA 3594606.pdf Description: NEXPERIA - PDTA143ZQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 340mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+19.97 грн
67+12.08 грн
108+7.52 грн
500+5.12 грн
1000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143ZQB-QZ pdta143x_to_124xqb-q_ser.pdf
Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 420mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5129+6.91 грн
10000+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 5129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143ZQB-QZ 3594606.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA143ZQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 340mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+12.08 грн
108+7.52 грн
500+5.12 грн
1000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143ZQB-QZ PDTA143X_TO_124XQB-Q_SER.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+15.53 грн
33+9.12 грн
100+5.68 грн
500+3.91 грн
1000+3.44 грн
2000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143ZQB-QZ PDTA143X_TO_124XQB-Q_SER.pdf
Виробник: Nexperia
Digital Transistors SOT8015 50V .1A PNP RET
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
20+16.59 грн
32+9.92 грн
100+5.32 грн
500+3.73 грн
1000+2.90 грн
2500+2.76 грн
5000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143ZQB-QZ 3594606.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA143ZQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 340mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
41+19.97 грн
67+12.08 грн
108+7.52 грн
500+5.12 грн
1000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.