Продукція > NXP USA INC. > PDTA144EMB,315
PDTA144EMB,315

PDTA144EMB,315 NXP USA Inc.


PHGLS24726-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: NXP USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 200000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11181+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 11181
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTA144EMB,315 NXP USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 180 MHz, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

Інші пропозиції PDTA144EMB,315

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PDTA144EMB,315 PDTA144EMB,315 Виробник : Nexperia 182611510088046pdta144emb.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R
товар відсутній
PDTA144EMB,315 PDTA144EMB,315 Виробник : Nexperia PDTA144EMB-2938303.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased PDTA144EMB/SOT883B/XQFN3
товар відсутній