PDTB113ET,215 NEXPERIA
Виробник: NEXPERIACategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 33
Collector current: 0.5A
Type of transistor: PNP
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 120+ | 3.01 грн |
| 380+ | 2.19 грн |
| 1020+ | 2.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTB113ET,215 NEXPERIA
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: TO-236AB, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms.
Інші пропозиції PDTB113ET,215 за ціною від 2.27 грн до 23.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PDTB113ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.25W Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 33 Collector current: 0.5A Type of transistor: PNP кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 3100 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PDTB113ET,215 | Виробник : Nexperia |
Digital Transistors PDTB113ET/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 1742 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PDTB113ET,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| PDTB113ET,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
PDTB113ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
PDTB113ET,215 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |