Технічний опис PDTB113ET,215 Nexperia
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: TO-236AB, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції PDTB113ET,215 за ціною від 2.56 грн до 17.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PDTB113ET,215 | Nexperia |
 Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PDTB113ET,215 | NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 1kΩ Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: PNP Current gain: 33 Kind of package: 7 inch reel; tape Base-emitter resistor: 1kΩ Collector current: 0.5A |
на замовлення 4431 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PDTB113ET,215 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 1956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PDTB113ET,215 | Nexperia |
Digital Transistors PDTB113ET/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 707 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PDTB113ET,215 |
|
Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.56 грн |
| PDTB113ET,215 |
|
Виробник: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 1kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Current gain: 33
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base-emitter resistor: 1kΩ
Collector current: 0.5A
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 1kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Current gain: 33
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base-emitter resistor: 1kΩ
Collector current: 0.5A
на замовлення 4431 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 13.42 грн |
| 54+ | 7.81 грн |
| 82+ | 5.12 грн |
| 119+ | 3.51 грн |
| 250+ | 3.14 грн |
| 500+ | 2.92 грн |
| 1000+ | 2.78 грн |
| 3000+ | 2.56 грн |
| PDTB113ET,215 |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 17.09 грн |
| 30+ | 10.17 грн |
| 100+ | 6.33 грн |
| 500+ | 4.36 грн |
| 1000+ | 3.85 грн |
| PDTB113ET,215 |
|
Виробник: Nexperia
Digital Transistors PDTB113ET/SOT23/TO-236AB
Digital Transistors PDTB113ET/SOT23/TO-236AB
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)