PDTB113ZT,215 Nexperia
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7353+ | 1.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTB113ZT,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - PDTB113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTB113Z Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PDTB113ZT,215 за ціною від 1.44 грн до 18.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PDTB113ZT,215 | Виробник : Nexperia |
 Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PDTB113ZT,215 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 29861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PDTB113ZT,215 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PDTB113ZT,215 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
PDTB113ZT,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
PDTB113ZT,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTB113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTB113Z Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PDTB113ZT,215 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 29861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PDTB113ZT,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 7834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
PDTB113ZT,215 | Виробник : Nexperia |
Digital Transistors PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 1 kohm, R2 = 10 kohm |
на замовлення 7589 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PDTB113ZT,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTB113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTB113Z Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| PDTB113ZT,215 | Виробник : NEXPERIA |
PDTB113ZT.215 PNP SMD transistors |
на замовлення 2340 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
|
|
PDTB113ZT,215 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |