Продукція > NEXPERIA USA INC. > PDTB123ET,215
PDTB123ET,215

PDTB123ET,215 Nexperia USA Inc.

PDTB123ET.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 328567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10158+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 10158
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTB123ET,215 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PDTB123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTB123E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PDTB123ET,215 за ціною від 2.27 грн до 19.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PDTB123ET,215 PDTB123ET,215 Виробник : NEXPERIA 14081917185261pdtb123et.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_part.pdfcidbrand_nxpd.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PDTB123ET,215 PDTB123ET,215 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002881336-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTB123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTB123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.34 грн
1000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PDTB123ET,215 PDTB123ET,215 Виробник : NEXPERIA PDTB123ET.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Current gain: 40
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Base resistor: 2.2kΩ
Case: SOT23; TO236AB
Kind of package: 7 inch reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+14.52 грн
39+10.31 грн
46+8.65 грн
100+4.82 грн
389+2.40 грн
1068+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
PDTB123ET,215 PDTB123ET,215 Виробник : NEXPERIA PDTB123ET.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Current gain: 40
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Base resistor: 2.2kΩ
Case: SOT23; TO236AB
Kind of package: 7 inch reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
18+17.43 грн
24+12.85 грн
28+10.38 грн
100+5.78 грн
389+2.88 грн
1068+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PDTB123ET,215 PDTB123ET,215 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002881336-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTB123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTB123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+19.57 грн
70+12.30 грн
140+6.12 грн
500+5.34 грн
1000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
PDTB123ET,215 PDTB123ET,215 Виробник : Nexperia PDTB123ET.pdf Digital Transistors PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19.99 грн
28+12.53 грн
100+6.78 грн
500+4.57 грн
1000+3.81 грн
3000+2.82 грн
6000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PDTB123ET,215
Код товару: 173860
Додати до обраних Обраний товар

PDTB123ET.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTB123ET,215 PDTB123ET,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTB123ET.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTB123ET,215 PDTB123ET,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTB123ET.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.