Продукція > NEXPERIA > PDTB123TT,215
PDTB123TT,215

PDTB123TT,215 Nexperia

PDTB123TT.pdf Виробник: Nexperia
Digital Transistors SOT23 50V .5A PNP RE
на замовлення 6935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+21.23 грн
33+10.59 грн
100+7.02 грн
500+6.49 грн
1000+5.44 грн
3000+3.77 грн
6000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTB123TT,215 Nexperia

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: TO-236AB, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms.

Інші пропозиції PDTB123TT,215 за ціною від 4.18 грн до 29.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PDTB123TT,215 PDTB123TT,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTB123TT.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.68 грн
20+15.73 грн
100+7.68 грн
500+6.02 грн
1000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PDTB123TT,215 PDTB123TT,215 Виробник : NEXPERIA PDTB123TT.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of transistor: BRT
Current gain: 100...250
Base resistor: 2.2kΩ
на замовлення 2367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+24.56 грн
28+14.15 грн
100+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PDTB123TT,215 PDTB123TT,215 Виробник : NEXPERIA PDTB123TT.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of transistor: BRT
Current gain: 100...250
Base resistor: 2.2kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2367 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.47 грн
17+17.64 грн
100+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PDTB123TT,215 PDTB123TT,215 Виробник : NEXPERIA 183115437485842pdtb123tt.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_part.pdfcidbrand_nxpd.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTB123TT,215 PDTB123TT,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTB123TT.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.