Продукція > NEXPERIA > PDTB123TT,215
PDTB123TT,215

PDTB123TT,215 Nexperia


PDTB123TT.pdf Виробник: Nexperia
Digital Transistors PDTB123TT/SOT23/TO-236AB
на замовлення 6935 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.88 грн
27+11.88 грн
50+7.39 грн
100+6.43 грн
1000+6.23 грн
3000+3.42 грн
6000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTB123TT,215 Nexperia

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: TO-236AB, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms.

Інші пропозиції PDTB123TT,215 за ціною від 3.94 грн до 22.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PDTB123TT,215 PDTB123TT,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTB123TT.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.33 грн
20+14.83 грн
100+7.24 грн
500+5.68 грн
1000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PDTB123TT,215 PDTB123TT,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTB123TT.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.