Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTB143EQAZ Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 325 mW, Frequency - Transition: 150 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, Qualification: AEC-Q101, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції PDTB143EQAZ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PDTB143EQAZ | Nexperia |
 Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product. |
на замовлення 4130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PDTB143EQAZ |
|
Виробник: Nexperia
Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product.
Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 4130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)