на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7322+ | 2.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTB143EQAZ Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 325 mW, Frequency - Transition: 150 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, Qualification: AEC-Q101, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції PDTB143EQAZ за ціною від 2.89 грн до 46.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PDTB143EQAZ | Виробник : Nexperia |
 Trans Digital BJT PNP 50V 0.5A 940mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PDTB143EQAZ | Виробник : Nexperia |
Digital Transistors SOT1215 50V .5A PNP RET |
на замовлення 4579 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PDTB143EQAZ | Виробник : NEXPERIA |
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 940mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
PDTB143EQAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 325 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 |
товару немає в наявності |