PDTB143ETVL

PDTB143ETVL Nexperia USA Inc.


PDTB1XXXT_SER.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 140 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 37520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12381+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 12381
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTB143ETVL Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 320 mW, Frequency - Transition: 140 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, Qualification: AEC-Q100.

Інші пропозиції PDTB143ETVL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PDTB143ETVL PDTB143ETVL Виробник : NEXPERIA 2589718408349206pdtb1xxxt_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 460mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
PDTB143ETVL PDTB143ETVL Виробник : Nexperia USA Inc. PDTB1XXXT_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 140 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
PDTB143ETVL PDTB143ETVL Виробник : Nexperia PDTB1XXXT_SER-2938398.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased PDTB143ET/SOT23/TO-236AB
товар відсутній