PDTC114EM,315 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 2.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTC114EM,315 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PDTC114EM,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: DFN1006, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTC114E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PDTC114EM,315 за ціною від 1.88 грн до 17.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PDTC114EM,315 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT883 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 14694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PDTC114EM,315 | Виробник : Nexperia |
Digital Transistors SOT883 50V .1A NPN RET |
на замовлення 22092 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PDTC114EM,315 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTC114EM,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: DFN1006 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
PDTC114EM,315 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTC114EM,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: DFN1006 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| PDTC114EM,315 | Виробник : Philips |
PDTC114EM,315 |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| PDTC114EM,315 | Виробник : Philips |
PDTC114EM,315 |
на замовлення 1560000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| PDTC114EM,315 | Виробник : NXP Semiconductors |
|
на замовлення 6140 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
PDTC114EM,315 | Виробник : NEXPERIA |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
PDTC114EM,315 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PDTC114EM,315 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |