
на замовлення 2092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 25.97 грн |
20+ | 17.18 грн |
100+ | 7.32 грн |
1000+ | 4.25 грн |
5000+ | 2.56 грн |
10000+ | 2.20 грн |
25000+ | 2.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTC114EQAZ Nexperia
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 280 mW, Frequency - Transition: 230 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Qualification: AEC-Q101, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції PDTC114EQAZ за ціною від 2.15 грн до 2.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PDTC114EQAZ | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
PDTC114EQAZ | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
PDTC114EQAZ | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 440mW; DFN1010D-3,SOT1215 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.44W Case: DFN1010D-3; SOT1215 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Application: automotive industry кількість в упаковці: 5 шт |
товару немає в наявності |
||||||
![]() |
PDTC114EQAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 280 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 |
товару немає в наявності |
|||||
PDTC114EQAZ | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 440mW; DFN1010D-3,SOT1215 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.44W Case: DFN1010D-3; SOT1215 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Application: automotive industry |
товару немає в наявності |