Продукція > NEXPERIA USA INC. > PDTC114EQBZ

PDTC114EQBZ Nexperia USA Inc.

Name: PDTC114EQBZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 13021702-3
Price: 15150.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	3.03 грн

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис PDTC114EQBZ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PDTC114EQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: N, MSL: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 340mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1110D, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

Інші пропозиції PDTC114EQBZ за ціною від 3.18 грн до 19.96 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

PDTC114EQBZ

Nexperia

Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D EP T/R

на замовлення 18768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	5.91 грн
10000+	5.27 грн

Мінімальне замовлення: 6000 шт

В кошику од. на суму грн.

PDTC114EQBZ

NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PDTC114EQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 340mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.30 грн
107+	7.66 грн
500+	5.20 грн
1000+	4.23 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

PDTC114EQBZ

Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	15.71 грн
32+	9.53 грн
100+	5.92 грн
500+	4.07 грн
1000+	3.58 грн
2000+	3.18 грн

Мінімальне замовлення: 20 шт

В кошику од. на суму грн.

PDTC114EQBZ

NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PDTC114EQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 340mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	19.96 грн
67+	12.30 грн
107+	7.66 грн
500+	5.20 грн
1000+	4.23 грн

Мінімальне замовлення: 41 шт

В кошику од. на суму грн.

PDTC114EQBZ

Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D EP T/R

на замовлення 18768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6000+	5.91 грн
10000+	5.27 грн

Мінімальне замовлення: 6000 шт

В кошику од. на суму грн.

PDTC114EQBZ

Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTC114EQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 340mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	12.30 грн
107+	7.66 грн
500+	5.20 грн
1000+	4.23 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

PDTC114EQBZ

Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
20+	15.71 грн
32+	9.53 грн
100+	5.92 грн
500+	4.07 грн
1000+	3.58 грн
2000+	3.18 грн

Мінімальне замовлення: 20 шт

В кошику од. на суму грн.

PDTC114EQBZ

Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTC114EQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 340mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
41+	19.96 грн
67+	12.30 грн
107+	7.66 грн
500+	5.20 грн
1000+	4.23 грн

Мінімальне замовлення: 41 шт

В кошику од. на суму грн.