Продукція > NEXPERIA > PDTC114ET-QR
PDTC114ET-QR

PDTC114ET-QR Nexperia


pdtc114et-q.pdf Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTC114ET-QR Nexperia

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 230 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції PDTC114ET-QR за ціною від 1.51 грн до 12.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PDTC114ET-QR PDTC114ET-QR Виробник : Nexperia pdtc114et-q.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7426+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 7426
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114ET-QR PDTC114ET-QR Виробник : Nexperia pdtc114et-q.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15152+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 15152
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114ET-QR PDTC114ET-QR Виробник : Nexperia PDTC114ET-Q.pdf Digital Transistors SOT23 50V .1A NPN RET
на замовлення 38554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+9.86 грн
57+6.16 грн
100+3.32 грн
500+2.42 грн
1000+2.11 грн
3000+1.66 грн
6000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114ET-QR PDTC114ET-QR Виробник : Nexperia USA Inc. PDTC114ET-Q.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 230 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.25 грн
46+6.92 грн
64+4.94 грн
100+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114ET-QR PDTC114ET-QR Виробник : NEXPERIA pdtc114et-q.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114ET-QR PDTC114ET-QR Виробник : Nexperia pdtc114et-q.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114ET-QR PDTC114ET-QR Виробник : NEXPERIA PDTC114ET-Q.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Frequency: 230MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114ET-QR PDTC114ET-QR Виробник : Nexperia USA Inc. PDTC114ET-Q.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 230 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114ET-QR PDTC114ET-QR Виробник : NEXPERIA PDTC114ET-Q.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Frequency: 230MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.