PDTC114ET-QVL

PDTC114ET-QVL Nexperia USA Inc.


PDTC114ET-Q.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 230 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.61 грн
30000+ 1.43 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTC114ET-QVL Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 230 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PDTC114ET-QVL за ціною від 1.08 грн до 10.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PDTC114ET-QVL PDTC114ET-QVL Виробник : NEXPERIA PDTC114ET-Q.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
150+2.62 грн
225+ 1.65 грн
500+ 1.31 грн
725+ 1.14 грн
1950+ 1.08 грн
Мінімальне замовлення: 150
PDTC114ET-QVL PDTC114ET-QVL Виробник : NEXPERIA PDTC114ET-Q.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+3.15 грн
150+ 2.06 грн
500+ 1.58 грн
725+ 1.37 грн
1950+ 1.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
PDTC114ET-QVL PDTC114ET-QVL Виробник : Nexperia PDTC114ET-Q.pdf Digital Transistors PDTC114ET-Q/SOT23/TO-236AB
на замовлення 7734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
31+10.07 грн
43+ 7.26 грн
100+ 3.99 грн
1000+ 1.79 грн
2500+ 1.53 грн
10000+ 1.2 грн
Мінімальне замовлення: 31
PDTC114ET-QVL PDTC114ET-QVL Виробник : Nexperia pdtc114et-q.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
PDTC114ET-QVL PDTC114ET-QVL Виробник : NEXPERIA pdtc114et-q.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW
товар відсутній