Продукція > NEXPERIA > PDTC114EU,115
PDTC114EU,115

PDTC114EU,115 Nexperia


pdtc114e_ser.pdf
Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 8293 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6881+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 6881
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTC114EU,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTC114EU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTC114E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PDTC114EU,115 за ціною від 1.29 грн до 22.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PDTC114EU,115 PDTC114EU,115 Виробник : Nexperia pdtc114e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 8293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4587+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 4587
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114EU,115 PDTC114EU,115 Виробник : Nexperia pdtc114e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2386+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 2386
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114EU,115 PDTC114EU,115 Виробник : NEXPERIA PDTC114EU.pdf PDTC114E_SERIES_10.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 30
на замовлення 6360 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.96 грн
66+6.39 грн
104+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114EU,115 PDTC114EU,115 Виробник : NEXPERIA 1511870.pdf Description: NEXPERIA - PDTC114EU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 25840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.52 грн
118+6.94 грн
500+4.40 грн
1500+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114EU,115 PDTC114EU,115 Виробник : Nexperia PDTC114EU.pdf PDTC114E_SERIES_10.pdf Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 29861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+16.14 грн
45+7.15 грн
100+4.54 грн
500+2.73 грн
1000+2.38 грн
3000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114EU,115 PDTC114EU,115 Виробник : NEXPERIA 1511870.pdf Description: NEXPERIA - PDTC114EU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 25840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+22.09 грн
78+10.52 грн
118+6.94 грн
500+4.40 грн
1500+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114EU,115 PDTC114EU,115 Виробник : Nexperia pdtc114e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114EU,115 Виробник : NXP PDTC114EU.pdf PDTC114E_SERIES_10.pdf Transistor NPN; 30; 200mW; 50V; 100mA; 230MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: PDTC114EU,115; PDTC114EU,135; PDTC114EU.115; PDTC114EU115; PDTC114E PDTC114EU,115 TPDTC114eu
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 610 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114EU,115 Виробник : NXP PDTC114EU.pdf PDTC114E_SERIES_10.pdf Transistor NPN; 30; 200mW; 50V; 100mA; 230MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: PDTC114EU,115; PDTC114EU,135; PDTC114EU.115; PDTC114EU115; PDTC114E PDTC114EU,115 TPDTC114eu
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114EU,115 Виробник : Philips PDTC114EU.pdf PDTC114E_SERIES_10.pdf PDTC114EU,115
на замовлення 273000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12500+2.59 грн
100000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 12500
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114EU,115 Виробник : Philips PDTC114EU.pdf PDTC114E_SERIES_10.pdf PDTC114EU,115
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12500+2.59 грн
100000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 12500
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114EU.115 Виробник : Nexperia SOT323, PBF Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114EU,115 PDTC114EU,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTC114EU.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114EU,115 PDTC114EU,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTC114EU.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114EU,115 PDTC114EU,115 Виробник : NXP USA Inc. PDTC114E_SERIES_10.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.