PDTC114TMB315 NXP USA Inc.


PDTC114TMB.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS
Packaging: Bulk
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11225+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 11225 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTC114TMB315 NXP USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 230 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PDTC114TMB315 за ціною від 2.13 грн до 6.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PDTC114TMB315 PDTC114TMB315 NXP Semiconductors PDTC114TMB.pdf Description: TRANS PREBIAS
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 230 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 276400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11225+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 11225 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114TMB315 NXP Semiconductors PDTC114TMB.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 276400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5301+6.68 грн
10000+5.95 грн
100000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 5301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114TMB315 NEXPERIA PDTC114TMB.pdf Description: NEXPERIA - PDTC114TMB315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114TMB315 PDTC114TMB.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
Description: TRANS PREBIAS
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 230 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 276400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11225+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 11225 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114TMB315 PDTC114TMB.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 276400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5301+6.68 грн
10000+5.95 грн
100000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 5301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114TMB315 PDTC114TMB.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTC114TMB315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.