Технічний опис PDTC114TMB315 NXP USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 230 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PDTC114TMB315 за ціною від 2.16 грн до 6.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PDTC114TMB315 | Виробник : NXP Semiconductors |
 Description: TRANS PREBIASPackaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 276400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| PDTC114TMB315 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTC114TMB315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| PDTC114TMB315 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R |
на замовлення 276400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|