Продукція > NEXPERIA > PDTC114YMB,315
PDTC114YMB,315

PDTC114YMB,315 Nexperia

3002pdtc114ymb.pdf Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTC114YMB,315 Nexperia

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 230 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції PDTC114YMB,315 за ціною від 2.49 грн до 20.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PDTC114YMB,315 PDTC114YMB,315 Виробник : Nexperia pdtc114ymb.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.82 грн
20000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114YMB,315 PDTC114YMB,315 Виробник : Nexperia pdtc114ymb.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.02 грн
20000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114YMB,315 PDTC114YMB,315 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTC114YMB.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 230 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.43 грн
34+8.92 грн
100+5.54 грн
500+3.80 грн
1000+3.35 грн
2000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114YMB,315 PDTC114YMB,315 Виробник : Nexperia PDTC114YMB.pdf Digital Transistors PDTC114YMB/SOT883B/XQFN3
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.65 грн
25+12.78 грн
50+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114YMB,315 PDTC114YMB,315 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTC114YMB.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 230 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.