Продукція > NEXPERIA > PDTC114YQB-QZ
PDTC114YQB-QZ

PDTC114YQB-QZ Nexperia

pdtc143x_to_124xqb-q_ser.pdf
Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 420mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5129+6.89 грн
10000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 5129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTC114YQB-QZ Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTC114YQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340mW, Bauform - Transistor: DFN1110D, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PDTC114YQB-QZ за ціною від 3.10 грн до 20.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PDTC114YQB-QZ PDTC114YQB-QZ NEXPERIA 3594610.pdf Description: NEXPERIA - PDTC114YQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.19 грн
108+7.59 грн
500+5.16 грн
1000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114YQB-QZ PDTC114YQB-QZ Nexperia USA Inc. PDTC143X_TO_124XQB-Q_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 230 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
33+9.28 грн
100+5.77 грн
500+3.97 грн
1000+3.50 грн
2000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114YQB-QZ PDTC114YQB-QZ NEXPERIA 3594610.pdf Description: NEXPERIA - PDTC114YQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+20.16 грн
67+12.19 грн
108+7.59 грн
500+5.16 грн
1000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114YQB-QZ PDTC114YQB-QZ Nexperia PDTC143X_TO_124XQB-Q_SER.pdf Digital Transistors SOT8015 50V .1A NPN RET
на замовлення 9046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114YQB-QZ 3594610.pdf
PDTC114YQB-QZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTC114YQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+12.19 грн
108+7.59 грн
500+5.16 грн
1000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114YQB-QZ PDTC143X_TO_124XQB-Q_SER.pdf
PDTC114YQB-QZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 230 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.68 грн
33+9.28 грн
100+5.77 грн
500+3.97 грн
1000+3.50 грн
2000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114YQB-QZ 3594610.pdf
PDTC114YQB-QZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTC114YQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
41+20.16 грн
67+12.19 грн
108+7.59 грн
500+5.16 грн
1000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114YQB-QZ PDTC143X_TO_124XQB-Q_SER.pdf
PDTC114YQB-QZ
Виробник: Nexperia
Digital Transistors SOT8015 50V .1A NPN RET
на замовлення 9046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.