Продукція > NEXPERIA > PDTC115ET,215
PDTC115ET,215

PDTC115ET,215 Nexperia

3008pdtc115e_series.pdf
Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4712160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14355+2.47 грн
100000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 14355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 14355 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTC115ET,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTC115ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm, Verlustleistung: 250mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTC115E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

Інші пропозиції PDTC115ET,215 за ціною від 1.72 грн до 11.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 Nexperia 3008pdtc115e_series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 385160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13044+2.72 грн
100000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 13044 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 Nexperia USA Inc. PDTC115E_SERIES.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 4430649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8511+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 8511 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 NEXPERIA PDTC115E_SERIES.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 100kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Current gain: 80
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base-emitter resistor: 100kΩ
Case: SOT23; TO236AB
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
35+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 Nexperia PDTC115E_SERIES.pdf Digital Transistors PDTC115ET/SOT23/TO-236AB
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 Nexperia 3008pdtc115e_series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 NEXPERIA PDTC115E_SERIES.pdf Description: NEXPERIA - PDTC115ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC115E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 NEXPERIA PDTC115E_SERIES.pdf Description: NEXPERIA - PDTC115ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC115E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC115ET,215 NXP PDTC115E_SERIES.pdf NPN 20mA 50V 250mW PDTC115ET,215 TPDTC115et
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
400+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC115ET,215 3008pdtc115e_series.pdf
PDTC115ET,215
Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 385160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13044+2.72 грн
100000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 13044 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC115ET,215 PDTC115E_SERIES.pdf
PDTC115ET,215
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 4430649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8511+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 8511 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC115ET,215 PDTC115E_SERIES.pdf
PDTC115ET,215
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 100kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Current gain: 80
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base-emitter resistor: 100kΩ
Case: SOT23; TO236AB
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
35+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC115ET,215 PDTC115E_SERIES.pdf
PDTC115ET,215
Виробник: Nexperia
Digital Transistors PDTC115ET/SOT23/TO-236AB
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC115ET,215 3008pdtc115e_series.pdf
PDTC115ET,215
Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC115ET,215 PDTC115E_SERIES.pdf
PDTC115ET,215
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTC115ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC115E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC115ET,215 PDTC115E_SERIES.pdf
PDTC115ET,215
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTC115ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC115E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC115ET,215 PDTC115E_SERIES.pdf
Виробник: NXP
NPN 20mA 50V 250mW PDTC115ET,215 TPDTC115et
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
400+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.