Продукція > NEXPERIA > PDTC115ET,215
PDTC115ET,215

PDTC115ET,215 NEXPERIA

183027985213676pdtc115e_series.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTC115ET,215 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PDTC115ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTC115E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PDTC115ET,215 за ціною від 1.62 грн до 18.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 Виробник : Nexperia 3008pdtc115e_series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 Виробник : Nexperia 3008pdtc115e_series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 521160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13044+2.39 грн
100000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 13044
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 Виробник : Nexperia 3008pdtc115e_series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7336000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13044+2.39 грн
100000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 13044
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTC115E_SERIES.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 7857160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7717+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 7717
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 Виробник : NEXPERIA PDTC115E_SERIES.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 100kΩ
Base-emitter resistor: 100kΩ
на замовлення 6064 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+12.91 грн
71+5.67 грн
104+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 Виробник : Nexperia PDTC115E_SERIES.pdf Digital Transistors PDTC115ET/SOT23/TO-236AB
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+15.40 грн
40+8.91 грн
57+5.45 грн
100+4.76 грн
1000+3.84 грн
3000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 Виробник : NEXPERIA PDTC115E_SERIES.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 100kΩ
Base-emitter resistor: 100kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6064 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.49 грн
43+7.07 грн
100+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 Виробник : NEXPERIA PIRSS13051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTC115ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC115E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 Виробник : Nexperia 3008pdtc115e_series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 Виробник : NEXPERIA PIRSS13051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTC115ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC115E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 Виробник : Nexperia 3008pdtc115e_series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC115ET,215 Виробник : NXP PDTC115E_SERIES.pdf NPN 20mA 50V 250mW PDTC115ET,215 TPDTC115et
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 Виробник : Nexperia 3008pdtc115e_series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTC115E_SERIES.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTC115E_SERIES.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.