PDTC115ET,215 NEXPERIA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTC115ET,215 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTC115ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTC115E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PDTC115ET,215 за ціною від 1.56 грн до 20.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PDTC115ET,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236ABPackaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 8670000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PDTC115ET,215 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PDTC115ET,215 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 539160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PDTC115ET,215 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 7336000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PDTC115ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTC115ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC115E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PDTC115ET,215 | Виробник : Nexperia |
Digital Transistors SOT23 50V .02A NPN R |
на замовлення 147 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PDTC115ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTC115ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC115E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PDTC115ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 80 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Base resistor: 100kΩ Base-emitter resistor: 100kΩ |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PDTC115ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 80 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Base resistor: 100kΩ Base-emitter resistor: 100kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 64 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PDTC115ET,215 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
PDTC115ET,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
PDTC115ET,215 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| PDTC115ET,215 | Виробник : NXP |
NPN 20mA 50V 250mW PDTC115ET,215 TPDTC115etкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
PDTC115ET,215 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
PDTC115ET,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 |
товару немає в наявності |





