PDTC123EMB,315 NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTC123EMB,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: SOT-883B
Produktpalette: PDTC123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: NEXPERIA - PDTC123EMB,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: SOT-883B
Produktpalette: PDTC123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 4.44 грн |
1000+ | 2.55 грн |
5000+ | 2.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTC123EMB,315 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTC123EMB,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, Dauer-Kollektorstrom Ic: 100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2, Dauer-Kollektorstrom: 100, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250, Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN, Bauform - Transistor: SOT-883B, Bauform - HF-Transistor: SOT-883B, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTC123E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Widerstandsverhältnis R1/R2: -, Betriebstemperatur, max.: 150, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції PDTC123EMB,315 за ціною від 2.5 грн до 16.33 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PDTC123EMB,315 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTC123EMB,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Dauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 Dauer-Kollektorstrom: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50 Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2 euEccn: NLR Verlustleistung: 250 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - Transistor: SOT-883B Bauform - HF-Transistor: SOT-883B Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC123E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Widerstandsverhältnis R1/R2: - Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 5107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PDTC123EMB,315 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
PDTC123EMB,315 | Виробник : NEXPERIA | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
PDTC123EMB,315 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q100 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
PDTC123EMB,315 | Виробник : Nexperia | Digital Transistors PDTC123EMB/SOT883B/XQFN3 |
товар відсутній |